Numéro de produit du fabricant:
TSM4NB60CP ROG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM4NB60CP ROG-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
9 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12897596
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SOUMETTRE
TSM4NB60CP ROG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TSM4NB60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM4NB60CPROGCT
TSM4NB60CP ROGTR-DG
TSM4NB60CP ROGDKR
TSM4NB60CPROGDKR
TSM4NB60CP ROGTR
TSM4NB60CP ROGCT-DG
TSM4NB60CP ROGCT
TSM4NB60CP ROGDKR-DG
TSM4NB60CPROGTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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